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GT Advanced Technologies推出碳化硅爐
日期:2013-07-05

    近日,GTAdvancedTechnologies推出其新型SiClone(TM)100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術,能生產出高品質的半導體SiC晶體塊,可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段,SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
    GT的總裁兼首席執行官Tom Gutierrez表示:“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業對更高品質SiC材料的需求,這些材料將用于生產先進的高功率及高頻設備。 SiClone100為我們的SiC產品藍圖奠定堅實基礎,根據藍圖我們預計在未來向客戶提供可生產八英寸SiC芯片的完整生產環境,包括配方、熱場及耗材。”
    GT利用其在晶體生長技術領域深入的專業知識,為正在尋求“從實驗室向工廠轉化”的客戶提供高度可靠及經驗證的平臺,幫助客戶開始量產SiC晶體塊。 SiClone100爐裝備有最先進的控制系統,通過將爐電子與人機界面(HMI)相結合,實現生長過程的自動化。 SiClone100采用底部灌裝設計,從而令熱場灌裝變得簡單。 控制系統為用戶帶來更大的靈活性,用戶可根據需要制定過程配方及控制生產參數,例如溫度、剖面、斜度及氣流,從而改善持續運行的控制重復性,最終降低制造成本。 GT的現場工程師及支援團隊將幫助客戶快速啟動量產。
    本公司繼續預計SiC爐的銷售情況將僅占其2013歷年收入的1%以下,并預計2014年及之后的SiC爐收入情況將會逐步好轉,原因是新電力設備有關的設計周期較長。

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