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    專利名稱： 紅外倍頻硫系玻璃陶瓷及其制備方法
    公開（告）號： CN1837115
    申請（專利）號： 200610018763.4
    發明（設計）人： 陶海征;顧少軒;趙修建;肖海燕;董國平;
    (申請)專利權（人）： 武漢理工大學
    內容：（摘要）本發明屬于非線性光學玻璃材料及制備方法。紅外倍頻硫系玻璃陶瓷，其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制備而成，各原料所占摩爾％為：GeS250～90％，Ga2S35～25％， CdS 5～25％，各原料含量之總和為100摩爾％。其制備方法是：首先制備出硫系玻璃，而后在略高于玻璃轉變溫度和遠低于玻璃晶化溫度的范圍內進行熱處理，有效控制玻璃的核化和晶化過程，析出大量亞微米量級尺寸均勻的紅外倍頻晶體，從而制備出具有透紅外和倍頻功能的硫系玻璃陶瓷。該紅外倍頻硫系玻璃陶瓷具有寬的透過窗口(0.45～12μm)。本發明的方法具有工藝簡單、生產周期短和易于制備出大尺寸樣品等優點。
    主權項：紅外倍頻硫系玻璃陶瓷，其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制備而成，各原料所占摩爾％為：GeS250~90％，Ga2S35~25％，CdS5~25％，各原料含量之總和為100摩爾％。