專利名稱： 晶體-取向陶瓷的制造方法以及陶瓷層壓材料的制造方法
公開（告）號： CN1830895
申請（專利）號： 200610059492.7
發明（設計）人： 門谷成;巖瀨昭夫
(申請)專利權（人）： 株式會社電裝
內容：（摘要）本發明提供了一種晶體-取向陶瓷的制備方法，該方法包括片料制備步驟，結晶-促進層形成步驟和煅燒步驟。在片料制備步驟，制備生料片1。在結晶-促進層形成步驟，形成包含結晶-促進材料顆粒151 的結晶-促進層15，以便其與生料片1接觸。在煅燒步驟，對生料片進行煅燒。另外，本發明還提供-種陶瓷層壓材料的制備方法，該方法包括層壓材料-制備步驟和煅燒步驟。在層壓材料-制備步驟，制備其中堆疊有生料片和電極-印刷層的層壓材料。形成包含所述結晶-促進材料顆粒的結晶-促進層以便該促進層與生料片接觸，所述結晶-促進材料顆粒在煅燒期間使得多晶物質中的晶粒生長。在煅燒步驟，對所述層壓材料進行煅燒。
主權項：一種晶體-取向陶瓷的制造方法，所述陶瓷由包含作為主要成分的鈣鈦礦結構(ABO3)的多晶物質組成，并且其中構成該多晶物質的每個晶粒的晶面是取向的，該方法包括： 制造由壓電材料組成的生料片的片料制備步驟，所述生料片通過煅燒形成所述鈣鈦礦結構的所述多晶物質， 形成包含結晶-促進材料顆粒的結晶促進層以便其與所述生料片接觸的結晶-促進層形成步驟，所述結晶-促進材料顆粒使得所述多晶物質中的晶粒能夠在煅燒時生長，和 通過對其上形成所述結晶-促進層的所述生料片進行煅燒制造所述晶體-取向陶瓷的煅燒步驟。
